Initial growth of InAs on P-terminated Si(111)surfaces to promote uniform lateral growth of InGaAs micro-discs on patterned Si
Initial growth of InAs on P-terminated Si(111)surfaces to promote uniform lateral growth of InGaAs micro-discs on patterned Si
复制标题
InAs 在 P 端接 Si(111) 表面上的初始生长促进 InGaAs 微盘在图案化 Si 上的均匀横向生长
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.Sugiyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y.Kondo;M.Deura;Y.Terada;T.Hoshii;M.Takenaka;S.Takagi;Y.Nakano;M.Sugiyama
