Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires
Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires
复制标题
InGaN纳米线的堆垛层错和发光特性
DOI：
10.7567/jjap.52.08je06
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发表时间：
2013
影响因子：
1.5
通讯作者：
H. Amano
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Tabata;J. Paek;Y. Honda;M. Yamaguchi;H. Amano
使用射频等离子体辅助分子束外延在 (111)Si 衬底上生长 InGaN 纳米线 (NW)，并估计 InGaN NW 中堆垛层错 (SF) 的密度。在InGaN纳米线的扫描透射电子显微镜（STEM）和透射电子显微镜（TEM）图像中观察到高密度SF，并且在纤锌矿结构中出现了一些闪锌矿层。当生长温度升高时，InGaN NW中SF的密度、光致发光（PL）峰值波长和PL光谱的半高全宽（FWHM）降低，而积分PL强度增加。这些结果表明，高生长温度对于降低InGaN NW中SF的密度是有效的，并且由于低In成分和相应的低SF密度，在高温下生长的InGaN NW具有强PL发光。
InGaN nanowires (NWs) were grown on (111)Si substrate using radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy, and the density of the stacking faults (SFs) in the InGaN NWs was estimated. High-density SFs were observed in the scanning transmission electron microscopy (STEM) and transmission electron microscopy (TEM) images of the InGaN NWs, and a few zincblende layers appeared in the wurtzite structure. When growth temperature increased, the density of the SFs in the InGaN NW, the photoluminescence (PL) peak wavelength, and the full width at half maximum (FWHM) of PL spectra decreased, whereas the integrated PL intensity increased. These results suggest that a high growth temperature is effective for decreasing the density of SFs in InGaN NWs, and InGaN NWs grown at high temperature have strong PL luminescence due to the low In composition and the corresponding low SFs density.
射频等离子体辅助分子束外延生长的 Eu 掺杂 GaN 纳米柱的结构和光学性质
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
立石紘己;関口寛人;山根啓輔;岡田浩;若原昭浩;尾崎耕平，関口寛人，今西智彦，山根啓輔，岡田浩，岸野克巳，若原昭浩
通讯作者：
尾崎耕平，関口寛人，今西智彦，山根啓輔，岡田浩，岸野克巳，若原昭浩