低周波Y パラメータを用いたGaN HEMT トラップ評価における表面処理と光照射の効果に関する研究
低周波Y パラメータを用いたGaN HEMT トラップ評価における表面処理と光照射の効果に関する研究
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利用低频Y参数研究表面处理和光照射对GaN HEMT陷阱评估的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山中 宏治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高田 栞;大石 敏之;大塚 友絢;山口 裕太郎;津留 正臣;山中 宏治
