Selective-area growth of pulse-doped InAs related nanowire-channels on Si
Selective-area growth of pulse-doped InAs related nanowire-channels on Si
复制标题
Si 上脉冲掺杂 InAs 相关纳米线通道的选择性区域生长
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Motohisa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Gamou;K. Tomioka;A. Yoshida;J. Motohisa
