Radiation defects studies on silicon bipolar junction transistor irradiated by Br ions and electrons
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DOI：
10.1016/j.nimb.2015.08.025
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发表时间：
2015-12
影响因子：
1.3
通讯作者：
Chaoming Liu;Xingji Li;Jianqun Yang;Guoliang Ma;Liyi Xiao;J. Bollmann
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chaoming Liu;Xingji Li;Jianqun Yang;Guoliang Ma;Liyi Xiao;J. Bollmann
