Low temperature surface preparation of GaN substrates for atomic layer epitaxial growth: Assessment of ex situ preparations
Low temperature surface preparation of GaN substrates for atomic layer epitaxial growth: Assessment of ex situ preparations
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用于原子层外延生长的 GaN 衬底的低温表面制备：异位制备的评估
DOI：
10.1116/1.5080090
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发表时间：
2019
影响因子：
2.9
通讯作者：
Ludwig, Karl F.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rosenberg, Samantha G.;Pennachio, Daniel J.;Wagenbach, Christa;Johnson, Scooter D.;Nepal, Neeraj;Kozen, Alexander C.;Woodward, Jeffrey M.;Robinson, Zachary;Joress, Howie;Ludwig, Karl F.
