Chemical beam deposition of high- k gate dielectrics on III-V semiconductors: TiO2 on In0.53Ga0.47As
Chemical beam deposition of high- k gate dielectrics on III-V semiconductors: TiO2 on In0.53Ga0.47As
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III-V 族半导体上高 k 栅极电介质的化学束沉积：In0.53Ga0.47As 上的 TiO2
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Stemmer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Engel;Y. Hwang;J. Lebeau;Yan Zheng;S. Stemmer
