Electrical properties of pseudo-single-crystalline Ge film grown on SiNx/SiO2 substrates
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复制标题
SiNx/SiO2 衬底上生长的赝单晶 Ge 薄膜的电学特性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Hamaya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kudo;H. Higashi;M. Nakano;S. Yamada;K. Yamamoto;T. Kanashima;I. Tsunoda;H. nakashima;and K. Hamaya
