Single crystalline bulk growth of In0.3Ga0.7As on GaAs seed using the multi-component zone melting method
Single crystalline bulk growth of In0.3Ga0.7As on GaAs seed using the multi-component zone melting method
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采用多组分区熔法在 GaAs 籽晶上单晶生长 In0.3Ga0.7As
DOI：
10.1016/s0022-0248(99)00413-3
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发表时间：
2000
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Yoda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Kodama;Y. Furumura;K. Kinoshita;H. Kato;S. Yoda
