Comparison of the magnetoresistance hysteresis between bilayer v=4/3 and monolayer v=2/3 quantum Hall states
Comparison of the magnetoresistance hysteresis between bilayer v=4/3 and monolayer v=2/3 quantum Hall states
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双层v=4/3与单层v=2/3量子霍尔态磁阻磁滞比较
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Sawada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Tsuda;A.Fukuda;Y.D.Zheng;T.Morikawa;T.Arai;A.Sawada
