Optimizing Write Voltages to Achieve Equal Reliability for All Pages in Flash Memory

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优化写入电压以实现闪存中所有页面的同等可靠性

DOI:
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发表时间:
2023
期刊:
Nonvolatile Memory Workshop
影响因子:
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通讯作者:
Wesel, R. D.
Wesel, R. D.
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Galijasevic, S.;Wesel, R. D.

文献摘要

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