Characterization of interface traps in the subthreshold region of implanted 4H and 6H-SiC MOSFETs
Characterization of interface traps in the subthreshold region of implanted 4H and 6H-SiC MOSFETs
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注入 4H 和 6H-SiC MOSFET 亚阈值区域中界面陷阱的表征
DOI：
10.1016/s0038-1101(02)00108-9
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发表时间：
2002
影响因子：
1.7
通讯作者：
M. White
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Zeng;A. Softić;M. White
