原子状水素アニール処理によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面特性の向上
原子状水素アニール処理によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面特性の向上
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通过原子氢退火处理改善并五苯/栅绝缘膜界面性能
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
佐藤 真彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takao Fujimori;Kenta Fujii;Sin-ichi Ishiguro;Kenta Fujii;Kenta Fujii;Mitsunori Asada;部家 彰;A.Heya;A.Heya;A.Heya;部家 彰;部家 彰;佐藤 真彦
