玉田 耕治、大山 昌憲、: "RFスパッタリングによるGa2S3_<-x>薄膜の基礎物性" 東京高等研究報告書. 27. 43-44 (1995)
玉田 耕治、大山 昌憲、: "RFスパッタリングによるGa2S3_<-x>薄膜の基礎物性" 東京高等研究報告書. 27. 43-44 (1995)
复制标题
Koji Tamada、Masanori Oyama:“射频溅射生产的 Ga2S3_<-x> 薄膜的基本物理性质”东京高级研究报告 27. 43-44 (1995)。
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: