Maxwell Wagnerモデルに基づいた強誘電性ゲート絶縁膜を持っペンタセンFETの解析II
Maxwell Wagnerモデルに基づいた強誘電性ゲート絶縁膜を持っペンタセンFETの解析II
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基于Maxwell Wagner模型II的铁电栅绝缘体并五苯FET分析
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田村亮祐
中科院分区：
文献类型：
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作者：
庄子習一;川合健太郎;西川敦;田村亮祐
