Hydrogen silsesquioxane a next generation resist for proton beam writing at the 20 nm level
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氢倍半硅氧烷是用于 20 nm 水平质子束写入的下一代抗蚀剂
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F. Watt
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. A. Kan;A. Bettiol;F. Watt
