Determination of the thermal diffusivity and conductivity of monocrystalline silicon carbide (300-2300 K)
Determination of the thermal diffusivity and conductivity of monocrystalline silicon carbide (300-2300 K)
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单晶碳化硅热扩散率和电导率的测定（300-2300 K）
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Hofmann
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. Nilsson;H. Mehling;R. Horn;J. Fricke;Rainer Hofmann;S. Müller;R. Eckstein;D. Hofmann
