Observing hot carrier distribution in an n-type epitaxial graphene on a SiC substrate
Observing hot carrier distribution in an n-type epitaxial graphene on a SiC substrate
复制标题
观察 SiC 衬底上 n 型外延石墨烯的热载流子分布
DOI：
10.1063/1.4871381
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
I. Matsuda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Someya;F. Fukidome;Y. Ishida;R. Yoshida;T. Iimori;R. Yukawa;K. Akikubo;Sh. Yamamoto;S. Yamamoto;T. Yamamoto;T. Kanai;K. Funakubo;M. Suemitsu;J. Itatani;F. Komori;S. Shin;I. Matsuda
