SrO終端のSi(100)2×1再構成基板上に成長したSrxSiOx+2薄膜の電気特性
SrO終端のSi(100)2×1再構成基板上に成長したSrxSiOx+2薄膜の電気特性
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SrO端接Si(100)2×1重构衬底上生长的SrxSiOx+2薄膜的电学性能
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
谷脇将太，今西啓司，堀田育志，吉田晴彦， 新船幸二，小椋厚志，佐藤真一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Taniwaki ;Y. Hotta;H. Yoshida;K. Arafune;A. Ogura;and S. Satoh;今西啓司，谷脇将太，堀田育志，吉田晴彦， 新船幸二，小椋厚志，佐藤真一;谷脇将太，今西啓司，堀田育志，吉田晴彦， 新船幸二，小椋厚志，佐藤真一
