Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ metlback-etched Si substrates
Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ metlback-etched Si substrates
复制标题
减少原位回熔蚀刻硅衬底上 GaN 中的穿透位错
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Shimanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Ishikawa;K.Shimanaka
