Optimized Gaussian basis sets for Goedecker–Teter–Hutter pseudopotentials
Optimized Gaussian basis sets for Goedecker–Teter–Hutter pseudopotentials
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Goedecker-Teter-Hutter 赝势的优化高斯基组
DOI：
10.1088/0965-0393/17/1/015009
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发表时间：
2008
影响因子：
1.8
通讯作者：
U. von Barth
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. S. Zijlstra;N. Huntemann;A. Kalitsov;Martin E. Garcia;U. von Barth
我们用Goedecker，Teter和Hutter1996年的赝势优化了H，B-F和Al-Cl元素的高斯基函数和p基函数的指数。通过最小化二聚体的总能量。我们发现，与通常的方法相比，这个过程使高斯分布更加局部化，在通常的过程中，指数针对原子进行了优化。我们进一步发现，对于S轨道和p轨道，三个指数足以合理地描述我们所研究的所有元素的电子结构。对于Li和Be，给出了(Hartwigsen等人，1998物理)的赝势的结果。B修订本58 3641)。我们期望我们的指数对密度泛函理论的研究是有用的，其中速度是重要的。
We have optimized the exponents of Gaussian s and p basis functions for the elements H, B–F and Al–Cl using the pseudopotentials of (Goedecker, Teter and Hutter 1996 Phys. Rev. B 54 1703) by minimizing the total energy of dimers. We found that this procedure causes the Gaussians to be somewhat more localized than the usual procedure, where the exponents are optimized for atoms. We further found that three exponents, equal for s and p orbitals, are sufficient to reasonably describe the electronic structure of all elements that we have studied. For Li and Be results are presented for pseudopotentials of (Hartwigsen et al 1998 Phys. Rev. B 58 3641). We expect that our exponents will be useful for density functional theory studies where speed is important.