Coherent control of electron-LO-phonon scattering in bulk GaAs
Coherent control of electron-LO-phonon scattering in bulk GaAs
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DOI：
10.1103/physrevlett.80.1992
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发表时间：
1998-03-02
影响因子：
8.6
通讯作者：
Wegener, M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wehner, MU;Ulm, MH;Wegener, M
在光激发后的几十飞秒，半导体中的散射过程还没有完成，因此，弛豫还没有变得不可逆。这开启了实际上逆转或增强不完全散射事件的迷人可能性。在这里，我们使用阿秒时间尺度相干控制来抑制或放大模型半导体GaAs中的非马尔可夫声子振荡。[S0031-9007（98）05370-8]。
Several tens of femtoseconds after optical excitation, scattering processes in semiconductors are not completed, thus, relaxation has not yet become irreversible. This opens the fascinating possibility of actually reversing or enhancing incompleted scattering events. Here, we use attosecond time scale coherent control to suppress or amplify the non-Markovian phonon oscillations in the model semiconductor GaAs. [S0031-9007(98)05370-8].