Reduction of Interdot Coupling and Photoluminescence Quenching in Telecommunication Band Low Density InAs Quantum Dots Grown on InP (311)B
Reduction of Interdot Coupling and Photoluminescence Quenching in Telecommunication Band Low Density InAs Quantum Dots Grown on InP (311)B
复制标题
InP (311)B 上生长的低密度 InAs 量子点在电信频段中减少点间耦合和光致发光猝灭
DOI：
--
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N. A. Jahan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
中島秀朗; 熊野英和; 飯島仁史; 末宗幾夫;Ikuo Suemune;H. Nakajima;N. A. Jahan
