Enhancement-mode GaN hybrid MOS-HEMTs with breakdown voltage of 1300V
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DOI：
10.1109/ispsd.2009.5158056
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发表时间：
2009-06
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Tang;Z. Li;T. Chow;Y. Niiyama;T. Nomura;S. Yoshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Tang;Z. Li;T. Chow;Y. Niiyama;T. Nomura;S. Yoshida
我们研究并优化了蓝宝石衬底上增强型n沟道GaN混合MOS-HEMT的击穿电压。这些 MOS 门控晶体管在无意掺杂的 AlGaN/GaN 层下方具有不同的 Mg 掺杂 p 型 GaN 层，使用电介质隔离 (DI) RESURF 方法具有高达 1300V 的击穿电压。
We have studied and optimized the breakdown voltage of enhancement-mode n-channel GaN hybrid MOS-HEMTs on sapphire substrate. These MOS-gated transistors, with different Mg doped p-type GaN layer underneath the unintentional doped AlGaN/GaN layer, have breakdown voltage as high as 1300V using a dielectric isolation (DI) RESURF approach.