GaN-BasedLEDs With Al-Doped ZnO Transparent Conductive Layer Grown by MOCVD: UltralowForward Voltage and Highly Uniformity
GaN-BasedLEDs With Al-Doped ZnO Transparent Conductive Layer Grown by MOCVD: UltralowForward Voltage and Highly Uniformity
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MOCVD 生长的具有掺铝 ZnO 透明导电层的 GaN 基 LED：超低正向电压和高度均匀性
DOI：
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发表时间：
2015
影响因子：
4.9
通讯作者：
Gang Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Cunsheng Tong;Hongtai Luo;Jun Liang;Gang Wang
