オージェ電子-光電子コインシデンス分光法による SiO_2/Si 超薄膜の表面界面基板を選別した局所価電子状態の研究
オージェ電子-光電子コインシデンス分光法による SiO_2/Si 超薄膜の表面界面基板を選別した局所価電子状態の研究
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俄歇电子光电子符合能谱研究超薄SiO_2/Si薄膜表面界面基底的局域价电子态
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
垣内拓大
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山本 圭介;井餘田 昌俊;王 冬;中島 寛;垣内拓大
