Laser-Annealing-Induced Crystallization of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) on Insulating Substrate
Laser-Annealing-Induced Crystallization of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) on Insulating Substrate
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绝缘基板上Ge1-xSnx (0≤x≤0.2)的激光退火诱导结晶
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M.u Miyao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Moto;R. Matsumura;T. Sadoh;H. Ikenoue;and M.u Miyao
