Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
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GaN衬底的取向差角对金属有机气相外延生长高铟含量InGaN的影响
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhibin Liu;Shugo Nitta;Yoann Robin;Maki Kushimoto;Manato Deki;Yoshio Honda;Markus Pristovsek;and Hiroshi Amano
