Observation of High on/off Drain Current Ratio in Graphene Transistors with n-type doped SiC Source/Drain Regions
Observation of High on/off Drain Current Ratio in Graphene Transistors with n-type doped SiC Source/Drain Regions
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具有 n 型掺杂 SiC 源极/漏极区域的石墨烯晶体管中高开/关漏极电流比的观察
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E.Tokumitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Nagahisa;Y.Harada;E.Tokumitsu
