厚膜InGaN系犠牲層の光電気化学エッチングによる中空GaNマイクロディスク構造の作製
厚膜InGaN系犠牲層の光電気化学エッチングによる中空GaNマイクロディスク構造の作製
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厚InGaN基牺牲层光电化学刻蚀制备空心GaN微盘结构
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田尻 武義
中科院分区：
文献类型：
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作者：
下吉 賢信;浮田 駿;内田 和男;田尻 武義
