Electronic Structure of Bi(110) Islands Grown on a Si(111)√3×√3-B Substrate
Electronic Structure of Bi(110) Islands Grown on a Si(111)√3×√3-B Substrate
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Si(111)√3×√3-B 衬底上生长的 Bi(110) 岛的电子结构
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Takahashi and H. Hirayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nakatsuji;Y. Shimokawa;T. Fujiwara;K. Nagase;S. Yamazaki;Y. Watanabe;K. Mase;K. Takahashi and H. Hirayama
