A Study of Fermi-level Pinning in Ge Schottky and MIS Tunnel Junctions
A Study of Fermi-level Pinning in Ge Schottky and MIS Tunnel Junctions
复制标题
Ge肖特基和MIS隧道结中费米能级钉扎的研究
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Kita and A. Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Nishimura;K. Nagashio;K. Kita and A. Toriumi
