熱酸化処理が高純度半絶縁性SiC基板上n型、p型イオン注入層の電気的性質に与える影響
熱酸化処理が高純度半絶縁性SiC基板上n型、p型イオン注入層の電気的性質に与える影響
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热氧化处理对高纯半绝缘SiC衬底n型和p型离子注入层电性能的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木本 恒暢
中科院分区：
文献类型：
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作者：
金 祺民;具 燦淳;金子 光顕;木本 恒暢
