Characterization of Void in Bonded SOI Wafers by Controlling Coherence Length of Near-Infrared Microscope

Characterization of Void in Bonded SOI Wafers by Controlling Coherence Length of Near-Infrared Microscope
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通过控制近红外显微镜的相干长度表征键合 SOI 晶圆中的空洞

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006
影响因子：
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通讯作者：
Mizuho Morita
Mizuho Morita
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Noritaka Ajari;Junichi Uchikoshi;Takaaki Hirokane;Kenta Arima;Mizuho Morita

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