Decay Processes of Si 2s Core Holes in Si(111)-7×7 Revealed by Si Auger Electron Si 2s Photoelectron Coincidence Measurements
Decay Processes of Si 2s Core Holes in Si(111)-7×7 Revealed by Si Auger Electron Si 2s Photoelectron Coincidence Measurements
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Si俄歇电子Si 2s光电子符合测量揭示Si(111)-7×7中Si 2s核孔的衰变过程
DOI：
10.7566/jpsj.83.094704
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Okusawa and M. Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Mase;K. Hiraga;S. Arae;R. Kanemura;Y. Takano;K. Yanase;Y. Ogashiwa;N. Shohata;N. Kanayama;T. Kakiuchi;S. Ohno;D. Sekiba;K. K. Okudaira;M. Okusawa and M. Tanaka
