Fabrication of Recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs by Low-Damage Contactless Photo-Electrochemical Etching
Fabrication of Recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs by Low-Damage Contactless Photo-Electrochemical Etching
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通过低损伤非接触光电化学刻蚀制造凹栅 AlGaN/GaN HEMT
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Toguchi;K. Miwa;F. Horikiri;N. Fukuhara;Y. Narita;O. Ichikawa;R. Isono;T. Tanaka;and T. Sato
