Hydrogen annealing effect on silicon-insulator(s) interface states
Hydrogen annealing effect on silicon-insulator(s) interface states
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氢退火对硅-绝缘体界面态的影响
DOI：
10.1088/0022-3727/6/9/313
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发表时间：
1973
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B. Swaroop
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Swaroop
研究了500°C氢气环境下二氧化硅-硅、氮化硅-硅和氮化硅-二氧化硅-硅结构的界面态密度。的界面态的相对测量表明，初生态氢是一个有效的环境，用于减少Si-SiO 2的界面态。然而，在氧化物上的氮化物层的存在表明在这种还原中的延迟。
Interface states density for silicon dioxide-silicon, silicon nitride-silicon, and silicon nitride-silicon dioxide-silicon structures under hydrogen ambient at 500°C has been investigated. A relative measure of the interface states indicates that nascent hydrogen is an effective ambient for reducing the interface states for Si-SiO2. However, the presence of nitride layer over the oxide indicated a retardation in such a reduction.