角度分解トポグラフィーと局所ロッキングカーブ法によるイオン注入SiC基板の歪分布観察
角度分解トポグラフィーと局所ロッキングカーブ法によるイオン注入SiC基板の歪分布観察
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使用角度分辨形貌和局部摇摆曲线法观测离子注入 SiC 衬底中的应变分布
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
長町信治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋由美子;平野馨一;志村考功;長町信治
