Si中离子注S杂质引起的深能级研究

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DOI:
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发表时间:
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期刊:
人工晶体学报
影响因子:
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通讯作者:
胡少旭
胡少旭
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
高利朋;韩培德;毛雪;范玉杰;胡少旭

文献摘要

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