薄膜からの二次電子放出を利用したRIビーム位置敏感型検出器の開発

薄膜からの二次電子放出を利用したRIビーム位置敏感型検出器の開発
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利用薄膜二次电子发射开发 RI 束位置敏感探测器

DOI:
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发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
要 直登
要 直登
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
牛場崇文;KAGRA Collaboration;向井もも;要 直登

文献摘要

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