Fabrication and characterization of n-type modulation-doped(Cd, Cr)Te quantum well
Fabrication and characterization of n-type modulation-doped(Cd, Cr)Te quantum well
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n型调制掺杂(Cd,Cr)Te量子阱的制备与表征
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Akinaga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F.Takano;T. Nishizawa;H.Kijo;J. W. Lee;S. Kuroda;H. Ofuchi;Y. Imanaka;T. Takamasu;G. Kido;K. Takita;H. Akinaga
