Numerical analysis on reverse recovery characteristics of 4H-SiC p+-n--n+ power diode with injection conditions
Numerical analysis on reverse recovery characteristics of 4H-SiC p+-n--n+ power diode with injection conditions
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注入条件下4H-SiC p-n--n功率二极管反向恢复特性数值分析
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shaoyun Zhao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wensheng Wei;Jing Li;Shaoyun Zhao
