High Temperature Growth of Thick InGaN Layers using Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
High Temperature Growth of Thick InGaN Layers using Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
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使用三卤化物气相外延法高温生长厚 InGaN 层
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Meguro;T. Hirasaki;T. Hasegawa;Q. T. Thieu;H. Murakami;Y. Kumagai;B. Monemar;A. Koukitu
