Refreshable Decrease In Peak Height Of Ion Beam Induced Transient Current From Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors
Refreshable Decrease In Peak Height Of Ion Beam Induced Transient Current From Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors
复制标题
碳化硅金属氧化物半导体电容器产生的离子束感应瞬态电流峰值高度可刷新降低
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Nozaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Ohshima;N. Iwamoto;S. Onoda;T. Makino;M. Deki;S. Nozaki
