4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動
4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動
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电子束辐照下 4H-SiC A 面上基面位错的扩展行为
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石川由加里，須藤正喜，姚永昭，菅原義弘，加藤正史
中科院分区：
文献类型：
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作者：
石川由加里，須藤正喜，菅原義弘，姚永昭，加藤正史;三好実人;江川孝志;石川由加里，須藤正喜，姚永昭，菅原義弘，加藤正史
