Luminescence of Be‐ and Mg‐doped GaN
Luminescence of Be‐ and Mg‐doped GaN
复制标题
DOI：
10.1063/1.1662930
复制
发表时间：
1973-09
影响因子：
3.2
通讯作者：
M. Ilegems;R. Dingle
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Ilegems;R. Dingle
掺Be或Mg的气相生长GaN的发光在黄绿(Be)或蓝紫(MG)波段显示出较深的发射带，同时还显示出先前在掺锌和掺Cd的GaN中发现的近禁带特征。在Be或Mg掺杂水平较高时，晶体具有较高的电阻率。
The luminescence of vapor‐grown GaN doped with Be or Mg shows deep emission bands in the yellow‐green (Be) or blue‐violet (Mg) wavelength regions in addition to the near‐gap features previously recognized in Zn‐ and Cd‐doped GaN. The crystals are of high resistivity at high Be or Mg doping levels.