HEATE法によるInGaN/GaN MQW極微細ナノピラーアレイの作製
HEATE法によるInGaN/GaN MQW極微細ナノピラーアレイの作製
复制标题
HEATE法制备InGaN/GaN MQW超细纳米柱阵列
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
相川健喜，菊池昭彦
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
柴田幸輝;田和圭子;吉田弘幸;Masaya Miyamoto and Masahiko Hada;Taishi Takenobu;相川健喜，菊池昭彦
