MultiShifter: Software to generate structural models of extended two-dimensional defects in 3D and 2D crystals
MultiShifter: Software to generate structural models of extended two-dimensional defects in 3D and 2D crystals
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MultiShifter：用于生成 3D 和 2D 晶体中扩展二维缺陷结构模型的软件
DOI：
10.1016/j.commatsci.2021.110310
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发表时间：
2021
影响因子：
3.3
通讯作者：
Van der Ven, Anton
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Goiri, Jon Gabriel;Van der Ven, Anton
晶体中的扩展缺陷，如位错、堆垛层错和晶界，在决定各种材料性能方面起着至关重要的作用。扩展的缺陷也可以导致二维材料中的新的电子特性，正如最近在扭曲的石墨烯双层中发现的电子现象所证明的那样。本文介绍了几种用于第一性原理电子结构计算的二维扩展缺陷晶体学模型的构建方法，包括（i）用于断裂研究的参数化广义内聚带模型和位错的介观模型的晶体学模型和（ii）扭曲双层的晶体学模型。这些方法在一个名为MultiShifter的开源软件包中实现。
Extended defects in crystals, such as dislocations, stacking faults and grain boundaries, play a crucial role in determining a wide variety of materials properties. Extended defects can also lead to novel electronic properties in two-dimensional materials, as demonstrated by recent discoveries of emergent electronic phenomena in twisted graphene bilayers. This paper describes several approaches to construct crystallographic models of two-dimensional extended defects in crystals for first-principles electronic structure calculations, including (i) crystallographic models to parameterize generalized cohesive zone models for fracture studies and meso-scale models of dislocations and (ii) crystallographic models of twisted bilayers. The approaches are implemented in an open source software package called MultiShifter.
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影响因子：
5.3
作者：
John C. Thomas;Anton Van der Ven
通讯作者：
John C. Thomas;Anton Van der Ven
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Enrique;Anton Van der Ven
通讯作者：
Anton Van der Ven
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
John C. Thomas;N. Modine;J. Millunchick;Anton Van der Ven
通讯作者：
Anton Van der Ven
A. Itaya、M. Van der Auweraer、B. Verschuere、F. C. De Schryver：“电离势和界面电场对 Langmuir-Blodgett 薄膜中光致空穴转移过程的影响”提交给 Chem。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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影响因子：
8.6
作者：
Enaldiev, V. V.;Zolyomi, V.;Fal'ko, V. I.
通讯作者：
Fal'ko, V. I.