Siナノドットメモリにおけるート酸化膜厚依存性
Siナノドットメモリにおけるート酸化膜厚依存性
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硅纳米点存储器中氧化膜厚度的依赖性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
林司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P.Punchaipetch;市川和典;矢野裕司;畑山智亮;浦岡行治;冬木隆;高橋英治;林司
