"MOSデバイスにおける信頼性物理とヘテロ界面に関する研究,"
"MOSデバイスにおける信頼性物理とヘテロ界面に関する研究,"
复制标题
“MOS器件可靠性物理和异质界面研究”
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
土屋敏章
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Hirosawa;S. Usami;T.S. Usuda;and A. Ogawa;土屋敏章
